ACJT810-10H
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ACJT810-10H 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM:1000V IGT:10/10/10mA TO-251瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！可替代下記友商型號：1、ACST830-8FP(意法-ST)； 2、ACTT8X-800C0(瑞能-WeEn)；

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    • ACJT810-10H 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):8A VDRM/VRRM:1000V IGT:10/10/10mA TO-251瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！


    可替代下記友商型號：

    1、ACST830-8FP(意法-ST)；

    2、ACTT8X-800C0(瑞能-WeEn)；          


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