◎ 知識科普

平面柵和溝槽柵IGBT有何區(qū)別？

1、結(jié)構(gòu)特征

平面柵IGBT的元胞尺寸較大，反型溝道水平。溝槽柵IGBT的元胞尺寸較小，反型溝道垂直。

2、芯片面積

在相同電壓、電流規(guī)格的情況下，平面柵IGBT的芯片面積要大于溝槽柵IGBT的芯片面積。

3、性能差異

首先，平面柵的芯片面積較大，在工作中硅芯片表面可散熱的面積會大于溝槽柵結(jié)構(gòu)芯片，能更好的平衡芯片結(jié)溫。在這點上兩者有差別，但平面柵也沒到絕對占優(yōu)的程度。

其次，平面柵因芯片面積大，采用的高純硅單晶材料更多，在相同電壓或電流通過時能有更多的耐受區(qū)域，因此魯棒性比較強，但也正因為這樣的結(jié)構(gòu)，平面柵不適于一些高頻工作的情況，通常在16K或者以下是平面柵IGBT比較能發(fā)揮作用的區(qū)域。溝槽柵芯片的魯棒性可由設(shè)計折中改善。

最后，平面柵結(jié)構(gòu)芯片的導(dǎo)通電阻大，開關(guān)損耗偏大，溝槽柵結(jié)構(gòu)芯片的導(dǎo)通電阻小，導(dǎo)通損耗特性更優(yōu)。今天給大家講解的是捷捷微的一顆溝槽柵IGBT單管JJT30N65SS。

◎ 替代型號

JJT30N65SS可替代下記友商型號：

1.SGT30T65SD1F(士蘭微-Silan) 

2.JT030N065FED(吉林華微-JSMC)

◎ 主要參數(shù)

JJT30N65SS的重要參數(shù)包括：

品類: IGBT單管

型號: JJT30N65SS

封裝: TO-220F

電壓: 650V

電流: 30A

應(yīng)用領(lǐng)域: 電動工具、變頻器