◆ 知識(shí)科普

MOS管和IGBT有啥區(qū)別？

MOS管和IGBT是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。

IGBT作為新型電子半導(dǎo)體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣泛的應(yīng)用。

MOS管和IGBT主要區(qū)別有以下3點(diǎn)：

1.  結(jié)構(gòu)

MOS管是單極型器件，僅依賴電子或空穴導(dǎo)電。

IGBT是雙極型器件，既有MOS管的極結(jié)構(gòu)，又有雙極型晶體管的PN結(jié)。

2.  工作特性

MOS管開關(guān)速度快，適合高頻應(yīng)用，但導(dǎo)通電阻較大，損耗較高，耐壓在1000V以下。IGBT的導(dǎo)通電阻和損耗小，電壓可達(dá)6.5千伏，適合高電壓、大電流場景，但開關(guān)速度較慢。

3.  應(yīng)用場景

MOS管常用于高頻開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源管理、消費(fèi)電子，汽車電子等。IGBT多用于高功率領(lǐng)域，如變頻器、電動(dòng)汽車、工業(yè)控制等。

今天給大家講解的是捷捷微的一顆IGBT單管JJT60N65UH。

◆ 替代型號(hào)

JJT60N65UH可替代下記友商型號(hào)：

1. CRG60T60AN3H (華潤微-CRMICRO)

2. SGT60U65FD1PN(士蘭微-Silan) 

◆ 主要參數(shù)

JJT60N65UH的重要參數(shù)包括：

品類: IGBT單管

型號(hào): JJT60N65UH

封裝: TO-3P

電壓: 650V

電流: 60A

應(yīng)用領(lǐng)域: 焊機(jī)、電樁